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皇冠登三出租:IBM 与三星发表 VTFET 设计实现 1nm 以下制程技术 Intel 则开始布局埃米等级制程技术 #台积电 (169763)

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台积电则已经在今年5月宣布与台湾大学、麻省理工学院共同研究,透过铋金属特性突破1nm制程生产极限,让制程技术下探至1nm以下。

在加州旧金山举办的IEDM 2021国际电子元件会议中,IBM与三星共同发表名为垂直传输场效电晶体 (VTFET)的晶片设计技术,强调将电晶体以垂直方式堆叠,并且让电流也改以垂直方式流通,借此让电晶体数量密度再次提高之外,更大幅强化电力使用效率,并且突破现行在1nm制程设计面临瓶颈。

相较传统将电晶体以水平方式堆叠形式设计,垂直传输场效电晶体将能增加电晶体数量堆叠密度,并且让运算速度提升两倍,同时透过让电流以垂直方式流通,同时也让电力损耗降低85%。

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依照说明,若是应用在手机晶片设计,约可让手机仅需充电一次,即可对应长达一周左右电力使用时间,而若是应用在加密货币挖矿的话,更可大幅缩小电力损耗,借此降低加密货币等应用背后对环境产生影响。

目前IBM与三星尚未透露预计何时将垂直传输场效电晶体设计应用在实际产品,但预期很快就会有进一步消息。

不过,台积电已经在今年5月宣布与台湾大学、麻省理工学院共同研究,透过铋金属特性突破1nm制程生产极限,让制程技术下探至1nm以下。而Intel日前也已经公布其未来制程技术发展布局,除了现有奈米 (nm)等级制程设计,接下来也会开始布局埃米 (Å)等级制程技术,预计最快会在2024年进入20A制程技术。


在此之前,Intel会从现行用在代号Alder Lake、第12代Core系列处理器的Intel 7制程进展至Intel 4制程技术,接续还会持续扩展到Intel 3制程,之后才会进入20A制程技术,并且在2025年发展18A制程。


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    2021-12-17 00:02:42 

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